



FDD86102LZ | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDD86102LZFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD86102LZFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDD86102LZ |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 8 A (Ta), 35 A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDD86102LZ Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 22,5mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1540 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,1W (Ta), 54W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,86000 | € 1,86 |
| 10 | € 1,18700 | € 11,87 |
| 100 | € 0,80530 | € 80,53 |
| 500 | € 0,64178 | € 320,89 |
| 1 000 | € 0,61416 | € 614,16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,53111 | € 1 327,77 |
| 5 000 | € 0,50040 | € 2 502,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,26920 |











