
IPD50N06S4L12ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50N06S4L12ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD50N06S4L12ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N06S4L12ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N06S4L12ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 20µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2890 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,37000 | € 1,37 |
| 10 | € 0,86200 | € 8,62 |
| 100 | € 0,57280 | € 57,28 |
| 500 | € 0,44846 | € 224,23 |
| 1 000 | € 0,40846 | € 408,46 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,32199 | € 804,98 |
| 5 000 | € 0,29838 | € 1 491,90 |
| 7 500 | € 0,28836 | € 2 162,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,67140 |













