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onsemi
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Prezzo unitario : € 1,34000
Scheda tecnica
MOSFET - Array 30V, 12V 2,4 A, 2,5 A 700mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
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FDC6432SH

Codice DigiKey
FDC6432SH-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
FDC6432SH
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V, 12V 2,4 A, 2,5 A 700mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDC6432SH Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V, 12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,4 A, 2,5 A
RDSon (max) a Id, Vgs
90mohm a 2,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3,5nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
270pF a 15V
Potenza - Max
700mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore
SuperSOT™-6
Codice componente base
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