MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
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NTHD3100CT1G

Codice DigiKey
NTHD3100CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTHD3100CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NTHD3100CT1G
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTHD3100CT1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,9 A, 3,2 A
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 2,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,3nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
165pF a 10V
Potenza - Max
1,1W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
ChipFET™
Codice componente base
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In magazzino: 16 649
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,34000€ 1,34
10€ 0,84900€ 8,49
100€ 0,56630€ 56,63
500€ 0,44476€ 222,38
1 000€ 0,40567€ 405,67
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,35603€ 1 068,09
6 000€ 0,33105€ 1 986,30
9 000€ 0,32057€ 2 885,13
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,34000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,63480