FDB9403_SN00268 onsemi | FET, MOSFET singoli

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : € 1,85918

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FDB9403_SN00268
Codice DigiKey	FDB9403_SN00268-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB9403_SN00268
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 110 A (Tc) 333W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 213 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12700 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 333W (Tj)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 80 A, 10V	Codice componente base FDB9403

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BUK761R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7133-2-ND	€ 1,85918	Simile

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