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BUK761R6-40E,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-7133-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK761R6-40E,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 120 A (Tc) 349W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BUK761R6-40E,118 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 145 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11340 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 349W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,6mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8132_F085 | onsemi | 0 | FDB8132_F085TR-ND | € 1,29744 | Diretto |
| AUIRFS8408-7P | Infineon Technologies | 0 | IRAUIRFS8408-7P-ND | € 0,00000 | Simile |
| FDB9403_SN00268 | onsemi | 0 | FDB9403_SN00268-ND | € 0,00000 | Simile |
| FDB9406-F085 | onsemi | 377 | FDB9406-F085CT-ND | € 3,65000 | Simile |
| IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | 1 611 | IPB120N04S401ATMA1CT-ND | € 3,85000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 800 | € 1,85918 | € 8 924,06 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,85918 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,26820 |
