Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 4.5872 EUR
Availability: InStock

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FDB3632
Codice DigiKey	FDB3632TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB3632CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB3632DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB3632
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	41 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 12 A (Ta), 80 A (Tc) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB3632 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6000 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDB363
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 80A, 10V