Name: FDB33N25TM
Brand: onsemi
SKU: FDB33N25TMTR-ND
Price: 3.4892 EUR
Availability: InStock

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FDB33N25TM
Codice DigiKey	FDB33N25TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB33N25TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB33N25TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB33N25TM
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 33 A (Tc) 235W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB33N25TM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2135 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 235W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB33N25
RDSon (max) a Id, Vgs 94mohm a 16,5A, 10V