FDB3502 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDB3502
Codice DigiKey	FDB3502TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB3502CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB3502DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB3502
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 6 A (Ta), 14 A (Tc) 3,1W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 815 pF @ 40 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 41W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta), 14 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB350
RDSon (max) a Id, Vgs 47mohm a 6A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDB16AN08A0	onsemi	2 234	FDB16AN08A0CT-ND	€ 3,29000	Consigliato dal produttore
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FDB3502