Name: FDB16AN08A0
Brand: onsemi
SKU: FDB16AN08A0TR-ND
Price: 4.0138 EUR
Availability: InStock

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FDB16AN08A0
Codice DigiKey	FDB16AN08A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB16AN08A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB16AN08A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB16AN08A0
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 9 A (Ta), 58 A (Tc) 135W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB16AN08A0 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1857 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta), 58 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDB16AN08
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 58A, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,08736	€ 869,89
1 600	€ 1,01353	€ 1 621,65

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,01380

FDB16AN08A0