Name: FDB2614
Brand: onsemi
SKU: FDB2614TR-ND
Price: 6.1854 EUR
Availability: InStock

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FDB2614
Codice DigiKey	FDB2614TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB2614CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB2614DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB2614
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 62 A (Tc) 260W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 99 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7230 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 260W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 62 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB261
RDSon (max) a Id, Vgs 27mohm a 31A, 10V