Name: FDB1D7N10CL7
Brand: onsemi
SKU: 488-FDB1D7N10CL7TR-ND
Price: 9.8332 EUR
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

In magazzino: 457

Prezzo unitario : € 4,67000

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FDB1D7N10CL7
Codice DigiKey	488-FDB1D7N10CL7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FDB1D7N10CL7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FDB1D7N10CL7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB1D7N10CL7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	46 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 268 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 700µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 163 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11600 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 268 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 15V	Codice componente base FDB1D7
RDSon (max) a Id, Vgs 1,65mohm a 100A, 15V