FCH190N65F-F085 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Diretto


onsemi
In magazzino: 311
Prezzo unitario : € 6,14000
Scheda tecnica

Simile


Microchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 9,91520
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 197
Prezzo unitario : € 3,71000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 3,54000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 192
Prezzo unitario : € 3,37000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 752
Prezzo unitario : € 3,19000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 713
Prezzo unitario : € 3,77000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 132
Prezzo unitario : € 3,77000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 144
Prezzo unitario : € 3,26000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 382
Prezzo unitario : € 4,40000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 278
Prezzo unitario : € 3,52000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 5 065
Prezzo unitario : € 6,68000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 693
Prezzo unitario : € 11,54000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 10,01000
Scheda tecnica
TO-247-3 AD EP
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
TO-247-3 AD EP
Fairchild Field Stop Trench IGBT | Digi-Key Daily

FCH190N65F-F085

Codice DigiKey
FCH190N65F-F085-ND
Produttore
Codice produttore
FCH190N65F-F085
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FCH190N65F-F085 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
190mohm a 27A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3181 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.