Name: IPW60R170CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND
Price: 4.5018 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 14 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-21

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IPW60R170CFD7XKSA1
Codice DigiKey	448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW60R170CFD7XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 14 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-21
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW60R170CFD7XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 300µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1199 pF @ 400 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-21
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPW60R170
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 6A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFH42N60P3	IXYS	IXFH42N60P3-ND	€ 10,55000	Simile
IXFX44N80Q3	IXYS	IXFX44N80Q3-ND	€ 28,52970	Simile
IXTH24N65X2	IXYS	IXTH24N65X2-ND	€ 6,91000	Simile
SIHG22N60AE-GE3	Vishay Siliconix	SIHG22N60AE-GE3-ND	€ 4,49000	Simile
SIHG22N65E-GE3	Vishay Siliconix	SIHG22N65E-GE3-ND	€ 2,47372	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 3,69000	€ 3,69
30	€ 2,02867	€ 60,86
120	€ 1,66300	€ 199,56
510	€ 1,39451	€ 711,20
1 020	€ 1,29651	€ 1 322,44
2 010	€ 1,21576	€ 2 443,68
5 010	€ 1,17212	€ 5 872,32

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