Name: FCD260N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCD260N65S3TR-ND
Price: 2.7328 EUR
Availability: InStock

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FCD260N65S3
Codice DigiKey	488-FCD260N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCD260N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCD260N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCD260N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCD260N65S3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,2mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1010 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCD260
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 6A, 10V