Name: FDD86110
Brand: onsemi
SKU: FDD86110TR-ND
Price: 3.6478 EUR
Availability: InStock

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FDD86110
Codice DigiKey	FDD86110TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD86110CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD86110DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD86110
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 12,5 A (Ta), 50 A (Tc) 3,1W (Ta), 127W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12,5 A (Ta), 50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,2mohm a 12,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2265 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,1W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD861