Name: BUB323ZT4G
Brand: onsemi
SKU: BUB323ZT4GOSTR-ND
Price: 4.1358 EUR
Availability: InStock

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BUB323ZT4G
Codice DigiKey	BUB323ZT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) BUB323ZT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BUB323ZT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	BUB323ZT4G
Descrizione	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 350 V 10 A 2MHz 150 W A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BUB323ZT4G Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 500 a 5A, 4,6V
Produttore onsemi	Potenza - Max 150 W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 2MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di transistor NPN - Darlington	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 10 A	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 350 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1,7V a 250mA, 10A	Codice componente base BUB323
Corrente - Interruzione collettore (max) 100µA