Name: 2SC3649T-TD-E
Brand: onsemi
SKU: 2SC3649T-TD-EOSTR-ND
Price: 1.2322 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

2SC3649T-TD-E
Codice DigiKey	2SC3649T-TD-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SC3649T-TD-EOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2SC3649T-TD-EOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	2SC3649T-TD-E
Descrizione	TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 160 V 1.5 A 120MHz 500 mW A montaggio superficiale PCP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SC3649T-TD-E Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 100mA, 5V
Produttore onsemi	Potenza - Max 500 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 120MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 1.5 A	Contenitore/involucro TO-243AA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 160 V	Contenitore del fornitore PCP
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 450mV a 50mA, 500mA	Codice componente base 2SC3649
Corrente - Interruzione collettore (max) 1µA (ICBO)