RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
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RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

AFT31150NR5

Codice DigiKey
568-13436-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
568-13436-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
AFT31150NR5
Descrizione
RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Corrente nominale (A)
10µA
Produttore
NXP USA Inc.
Corrente - Test
100 mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Potenza - Uscita
150W
Stato componente
Data di acquisto finale
Tensione - Nominale
65 V
Tecnologia
LDMOS
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Frequenza
2,7GHz ~ 3,1GHz
Contenitore/involucro
OM-780-2
Guadagno
17,2dB
Contenitore del fornitore
OM-780-2
Tensione - Test
32 V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 30.09.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 277,83000€ 277,83
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
50€ 250,20380€ 12 510,19
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 277,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 338,95260