
NH3T008MP120F2 | |
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Codice DigiKey | 5140-NH3T008MP120F2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NH3T008MP120F2 |
Descrizione | 1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 200 A (Tc) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | NoMIS Power | |
Serie | ||
Confezionamento | Vassoio | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 200 A (Tc) | |
Vgs(th) max a Id | 4V @ 100mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 530nC @ 20V | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | - |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 128,69000 | € 128,69 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 128,69000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 157,00180 |



