Novità in DigiKey
NH3T008MP120F2
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NH3T008MP120F2

Codice DigiKey
5140-NH3T008MP120F2-ND
Produttore
Codice produttore
NH3T008MP120F2
Descrizione
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 200 A (Tc) Montaggio su telaio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
NoMIS Power
Serie
Confezionamento
Vassoio
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
200 A (Tc)
Vgs(th) max a Id
4V @ 100mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
530nC @ 20V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
-
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In magazzino: 6
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Vassoio
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