Name: PSMN4R2-80YSEX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN4R2-80YSEXTR-ND
Price: 3.8552 EUR
Availability: OutOfStock

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : € 3,16000

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PSMN4R2-80YSEX
Codice DigiKey	1727-PSMN4R2-80YSEXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN4R2-80YSEXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN4R2-80YSEXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN4R2-80YSEX
Descrizione	PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 170 A (Tc) 294W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8000 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 294W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 170 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SOT-1023, 4-LFPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 25A, 10V