PMV28UNEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale N 20 V 4,7 A (Ta) 510mW (Ta), 3,9W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV28UNEAR
Codice DigiKey	1727-2530-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2530-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2530-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV28UNEAR
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 4,7 A (Ta) 510mW (Ta), 3,9W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 4.5 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 490 pF @ 10 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 510mW (Ta), 3,9W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,7 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore del fornitore TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 4,7A, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA	Codice componente base PMV28

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FDN028N20	onsemi	9 196	FDN028N20OSCT-ND	€ 0,72000	Simile
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