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PMV28ENEAR | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-8664-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-8664-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-8664-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | PMV28ENEAR |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 4,4 A (Ta) 660mW (Ta), 8.3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | PMV28ENEAR Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 266 pF @ 15 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore TO-236AB |
RDSon (max) a Id, Vgs 37mohm a 4.4A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3032LQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-13TR-ND | € 0,06298 | Simile |
| DMN3032LQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-7TR-ND | € 0,09210 | Simile |
| FDN337N | onsemi | 192 971 | FDN337NCT-ND | € 0,76000 | Simile |
| TSM2306CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | 47 199 | 1801-TSM2306CXRFGCT-ND | € 0,87000 | Simile |




