PMV28ENEAR è esaurito e non è attualmente disponibile per un ordine arretrato.
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Scheda tecnica
Canale N 30 V 4,4 A (Ta) 660mW (Ta), 8.3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
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PMV28ENEAR

Codice DigiKey
1727-8664-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-8664-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-8664-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
PMV28ENEAR
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 4,4 A (Ta) 660mW (Ta), 8.3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
PMV28ENEAR Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
266 pF @ 15 V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Dissipazione di potenza (max)
660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore del fornitore
TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs
37mohm a 4.4A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMN3032LQ-13Diodes Incorporated031-DMN3032LQ-13TR-ND€ 0,06298Simile
DMN3032LQ-7Diodes Incorporated031-DMN3032LQ-7TR-ND€ 0,09210Simile
FDN337Nonsemi192 971FDN337NCT-ND€ 0,76000Simile
TSM2306CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation47 1991801-TSM2306CXRFGCT-ND€ 0,87000Simile
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