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DMN3032LQ-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN3032LQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN3032LQ-7 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 5,4 A (Ta) 800mW A montaggio superficiale SOT-23-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.1 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 481 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 800mW |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 |
RDSon (max) a Id, Vgs 31mOhm @ 5.8A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3032L-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032L-13TR-ND | € 0,05303 | Equivalente parametrico |
| DMN3032L-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032L-7TR-ND | € 0,06120 | Equivalente parametrico |
| DMN3032LQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-13TR-ND | € 0,06298 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,09210 | € 276,30 |
| 6 000 | € 0,08366 | € 501,96 |
| 9 000 | € 0,07936 | € 714,24 |
| 15 000 | € 0,07748 | € 1 162,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,09210 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,11236 |
