PMV27UPER Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale P 20 V 4,5 A (Ta) 490mW (Ta), 4,15W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV27UPER
Codice DigiKey	1727-2304-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2304-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2304-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV27UPER
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,5 A (Ta) 490mW (Ta), 4,15W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV27UPER Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22.1 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1820 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 490mW (Ta), 4,15W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 4,5A, 4,5V	Codice componente base PMV27

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FDN306P	onsemi	42 465	FDN306PCT-ND	€ 0,64000	Simile
TSM2323CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	61 392	1801-TSM2323CXRFGCT-ND	€ 1,09000	Simile

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