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PHB18NQ10T,118 è obsoleto e non è più in produzione.
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PHB18NQ10T,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | PHB18NQ10T,118-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PHB18NQ10T,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 18 A (Tc) 79W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 633 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 9A, 10V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB047N10 | onsemi | 820 | FDB047N10CT-ND | € 4,42000 | Simile |
| FDB120N10 | onsemi | 34 | FDB120N10CT-ND | € 2,73000 | Simile |
| FDB3632 | onsemi | 5 618 | FDB3632CT-ND | € 3,76000 | Simile |
| FDB3682 | onsemi | 524 | FDB3682FSCT-ND | € 2,81000 | Simile |
| FQB33N10LTM | onsemi | 100 | FQB33N10LTMCT-ND | € 2,10000 | Simile |
Obsoleto
