Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650FBEZTR-ND
Price: 5.917 EUR
Availability: InStock

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GAN190-650FBEZ
Codice DigiKey	1727-GAN190-650FBEZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-GAN190-650FBEZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-GAN190-650FBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN190-650FBEZ
Descrizione	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 11,5 A (Tc) 125W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili DFN5060-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 12,2mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.8 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -1,4V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 96 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN5060-5
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 3,9A, 6V	Codice componente base GAN190