Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 8.5766 EUR
Availability: InStock

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GAN080-650EBEZ
Codice DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN080-650EBEZ
Descrizione	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili DFN8080-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 30,7mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.2 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -6V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 225 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 240W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN8080-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-VDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 8A, 6V	Codice componente base GAN080