BUK769R6-80E,118 Nexperia USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

BUK769R6-80E,118 è obsoleto e non è più in produzione.

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BUK769R6-80E,118
Codice DigiKey	1727-1092-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BUK769R6-80E,118
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 75 A (Tc) 182W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,6mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	59.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4682 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	182W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	BUK769