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G2R120MT33J | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1913-G2R120MT33J-ND |
Produttore | |
Codice produttore | G2R120MT33J |
Descrizione | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 3300 V 35A A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | G2R120MT33J Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 156mohm a 20A, 20V |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 145 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (max) +25V, -10V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3706 pF @ 1000 V |
Stato componente Data di acquisto finale | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tecnologia | Contenitore del fornitore TO-263-7 |
Tensione drain/source (Vdss) 3300 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Codice componente base |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V |
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.05.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 250 | € 96,26952 | € 24 067,38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 96,26952 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 117,44881 |
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