Consigliato dal produttore
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile

IXTH52N65X | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTH52N65X-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTH52N65X |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 52A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 52 A (Tc) 660W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IXTH52N65X Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 113 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4350 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 660W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247 (IXTH) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 68mohm a 26A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | € 11,25000 | Consigliato dal produttore |
| FCH47N60N | onsemi | 1 816 | 1990-FCH47N60N-ND | € 11,98000 | Simile |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | € 6,70000 | Simile |
| SIHG47N60E-E3 | Vishay Siliconix | 509 | SIHG47N60E-E3-ND | € 9,50000 | Simile |
| STW56N65DM2 | STMicroelectronics | 913 | 497-16337-5-ND | € 11,24000 | Simile |






