Name: SPP17N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP17N80C3XKSA1-ND
Price: 5.6242 EUR
Availability: InStock

Canale N 800 V 17 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1

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SPP17N80C3XKSA1
Codice DigiKey	SPP17N80C3XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPP17N80C3XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 17 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPP17N80C3XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 177 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2320 pF @ 25 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPP17N80
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 11A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1 718	IRF830APBF-ND	€ 2,63000	Simile
IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	€ 3,40000	Simile
SIHP15N60E-E3	Vishay Siliconix	989	742-SIHP15N60E-E3-ND	€ 3,58000	Simile
STP11NM80	STMicroelectronics	970	497-4369-5-ND	€ 6,25000	Simile
STP18N60M2	STMicroelectronics	266	497-13971-5-ND	€ 2,58000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 4,61000	€ 4,61
50	€ 2,39460	€ 119,73
100	€ 2,18100	€ 218,10
500	€ 1,80670	€ 903,35
1 000	€ 1,68654	€ 1 686,54
2 000	€ 1,58556	€ 3 171,12
5 000	€ 1,58262	€ 7 913,10

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