
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ISZ113N10NM5LF2ATMA1 |
Descrizione | ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 FL |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,3mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 36µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2300 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TSDSON-8 FL | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,38000 | € 2,38 |
| 10 | € 1,53400 | € 15,34 |
| 100 | € 1,05440 | € 105,44 |
| 500 | € 0,85894 | € 429,47 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,70176 | € 3 508,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,90360 |




