Name: ISZ106N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 2.7328 EUR
Availability: OutOfStock

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ISZ106N12LM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISZ106N12LM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISZ106N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISZ106N12LM6ATMA1
Descrizione	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 10A (Ta), 62A (Tc) 2,5W (Ta), 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	120 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10A (Ta), 62A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	3,3V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,6mohm a 28A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1800 pF @ 60 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 94W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8 FL
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	ISZ106