Name: ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 2.928 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

ISC104N12LM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC104N12LM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC104N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC104N12LM6ATMA1
Descrizione	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 11 A (Ta), 63 A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 35µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 60 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 94W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 63 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3,3V, 10V	Codice componente base ISC104
RDSon (max) a Id, Vgs 10,4mohm a 28A, 10V