Name: ISZ080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ080N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 2,07000

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ISZ080N10NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISZ080N10NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISZ080N10NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISZ080N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISZ080N10NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISZ080N10NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 36µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13A (Ta), 75A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Codice componente base ISZ080N
RDSon (max) a Id, Vgs 8,04mohm a 20A, 10V