Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC058N04NM5ATMA1
Descrizione	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 17 A (Ta), 63 A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC058N04NM5ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	17 A (Ta), 63 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,8mohm a 31A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,4V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8 FL
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	ISC058N

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,34200

ISC058N04NM5ATMA1