Name: ISC019N10NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC019N10NM8SCATMA1TR-ND
Price: 9.8332 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

Canale N 100 V 26A (Ta), 245A (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale PG-WSON-8-2

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ISC019N10NM8SCATMA1
Codice DigiKey	448-ISC019N10NM8SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC019N10NM8SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC019N10NM8SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC019N10NM8SCATMA1
Descrizione	ISC019N10NM8SCATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 26A (Ta), 245A (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale PG-WSON-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,93mohm a 50A, 15V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,2V a 114µA
Serie OptiMOS™ 8	Carica del gate (Qg) max a Vgs 133 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8800 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 268W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26A (Ta), 245A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WSON-8-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 15V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 8,06000	€ 8,06
10	€ 5,51100	€ 55,11
100	€ 4,08400	€ 408,40

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
4 000	€ 3,33660	€ 13 346,40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 8,06000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 9,83320

ISC019N10NM8SCATMA1

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