Name: ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC016N08NM8SCATMA1TR-ND
Price: 7.3566 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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ISC016N08NM8SCATMA1
Codice DigiKey	448-ISC016N08NM8SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC016N08NM8SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC016N08NM8SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC016N08NM8SCATMA1
Descrizione	ISC016N08NM8SCATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 29A (Ta), 269A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale PG-WSON-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,54mohm a 50A, 15V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,5V a 111µA
Serie OptiMOS™ 8	Carica del gate (Qg) max a Vgs 99 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7200 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29A (Ta), 269A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WSON-8-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 15V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN