Name: IRLR8726TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR8726TRPBFTR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

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IRLR8726TRPBF
Codice DigiKey	IRLR8726TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR8726TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR8726TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR8726TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 86 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLR8726TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,35V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2150 pF @ 15 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 86 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLR8726
RDSon (max) a Id, Vgs 5,8mohm a 25A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD50N03S207ATMA1	Infineon Technologies	19 407	448-IPD50N03S207ATMA1CT-ND	€ 0,97738	Simile
IPD50N03S2L06ATMA1	Infineon Technologies	4 397	IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND	€ 2,02000	Simile
FDD6670A	onsemi	201	FDD6670ACT-ND	€ 1,50000	Simile
PJD80N03_L2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJD80N03_L2_00001TR-ND	€ 0,20251	Simile
STD95N4LF3	STMicroelectronics	3 406	497-8776-1-ND	€ 2,17000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)