IRLR8259TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRLR8259TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

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IRLR8259TRPBF
Codice DigiKey	IRLR8259TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR8259TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR8259TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR8259TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 57 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLR8259TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,35V a 25µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900 pF @ 13 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 57 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLR8259
RDSon (max) a Id, Vgs 8,7mohm a 21A, 10V