IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRLMS2002TRPBF
Codice DigiKey	IRLMS2002PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLMS2002PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLMS2002PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLMS2002TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(SOT23-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLMS2002TRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 6,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1310 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Micro6™(SOT23-6)
Contenitore/involucro	SOT-23-6
Codice componente base	IRLMS2002

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,90280

IRLMS2002TRPBF