Name: DMG6402LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6402LVT-7DITR-ND
Price: 0.4392 EUR
Availability: InStock

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DMG6402LVT-7
Codice DigiKey	DMG6402LVT-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG6402LVT-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG6402LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG6402LVT-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6 A (Ta) 1,75W (Ta) A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	498 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,75W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSOT-26
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	DMG6402

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Nastrato in bobina (TR)