Name: IRLL024NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL024NPBFTR-ND
Price: 1.1102 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRLL024NTRPBF
Codice DigiKey	IRLL024NPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLL024NPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLL024NPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLL024NTRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 3,1 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLL024NTRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15.6 nC @ 5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,1 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base IRLL024
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 3,1A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 60 440

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)