Name: IRLL2705TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL2705PBFTR-ND
Price: 1.2444 EUR
Availability: InStock

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IRLL2705TRPBF
Codice DigiKey	IRLL2705PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLL2705PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLL2705PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLL2705TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 3,8 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLL2705TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 870 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,8 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base IRLL2705
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 3,8A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)