Name: IRLL2705TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL2705PBFTR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

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IRLL2705TRPBF
Codice DigiKey	IRLL2705PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLL2705PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLL2705PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLL2705TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 3,8 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLL2705TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	40mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	870 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	IRLL2705