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MOSFET - Array 30V 8,1A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRL6372PBF

Codice DigiKey
IRL6372PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRL6372PBF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 8,1A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8,1A
RDSon (max) a Id, Vgs
17,9mohm a 8,1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,1V a 10µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1020pF a 25V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
IRL6372
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