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Scheda tecnica
MOSFET - Array 30V 8,1A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRL6372PBF

Codice DigiKey
IRL6372PBF-ND
Produttore
Codice produttore
IRL6372PBF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 8,1A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
17,9mohm a 8,1A, 4,5V
Produttore
Infineon Technologies
Vgs(th) max a Id
1,1V a 10µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11nC a 4,5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1020pF a 25V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Potenza - Max
2W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore del fornitore
8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8,1A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AO4818BAlpha & Omega Semiconductor Inc.15 192785-1059-1-ND€ 1,16000Simile
AO4842Alpha & Omega Semiconductor Inc.9 510785-1064-1-ND€ 0,95000Simile
DMN3015LSD-13Diodes Incorporated0DMN3015LSD-13DICT-ND€ 0,85000Simile
DMN3033LSDQ-13Diodes Incorporated031-DMN3033LSDQ-13CT-ND€ 1,01000Simile
SH8KA4TBRohm Semiconductor40 400SH8KA4TBCT-ND€ 1,33000Simile
In magazzino: 0
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