Name: SI4214DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4214DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1834 EUR
Availability: InStock

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SI4214DDY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4214DDY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 8,5A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4214DDY-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 19,5mohm a 8A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 660pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3,1W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,5A	Codice componente base SI4214

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In magazzino: 19 370

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,97000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,18340

SI4214DDY-T1-GE3