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IRFH5110TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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IRFH5110TRPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IRFH5110TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IRFH5110TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 11 A (Ta), 63 A (Tc) 3,6W (Ta), 114W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRFH5110TRPBF Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 100µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3152 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 114W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,4mohm a 37A, 10V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 1 321 | BSC109N10NS3GATMA1CT-ND | € 2,23000 | Simile |
| BSC118N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | 11 350 | BSC118N10NSGATMA1CT-ND | € 2,11000 | Simile |
| DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMT8012LFG-13-ND | € 0,36242 | Simile |
| STL60N10F7 | STMicroelectronics | 8 845 | 497-13879-1-ND | € 1,70000 | Simile |
| STL90N10F7 | STMicroelectronics | 2 136 | 497-13969-1-ND | € 1,98000 | Simile |
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