Name: DMT8012LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-13-ND
Price: 0.39724 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : € 1,28000

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DMT8012LFG-13
Codice DigiKey	DMT8012LFG-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT8012LFG-13
Descrizione	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 9,5 A (Ta), 35 A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,5 A (Ta), 35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	16mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1949 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMT8012