Name: DMT8012LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-13-ND
Price: 0.44215 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : € 1,34000

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DMT8012LFG-13
Codice DigiKey	DMT8012LFG-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT8012LFG-13
Descrizione	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 9,5 A (Ta), 35 A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1949 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,2W (Ta), 30W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,5 A (Ta), 35 A (Tc)	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 12A, 10V	Codice componente base DMT8012

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT8012LFG-7	Diodes Incorporated	687	DMT8012LFG-7DICT-ND	€ 1,34000	Equivalente parametrico

Disponibile su ordinazione

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,36242	€ 1 087,26

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,36242
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,44215

DMT8012LFG-13