Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBF-ND
Price: 3.5014 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Foro passante TO-220AB

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IRFB4110PBF
Codice DigiKey	448-IRFB4110PBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFB4110PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFB4110PBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 210 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9620 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFB4110
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 75A, 10V

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 2,87000	€ 2,87
50	€ 1,43300	€ 71,65
100	€ 1,29330	€ 129,33
500	€ 1,04858	€ 524,29
1 000	€ 0,96997	€ 969,97
2 000	€ 0,90386	€ 1 807,72
5 000	€ 0,83471	€ 4 173,55

Contenitore standard del produttore

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