Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBF-ND
Price: 3.1964 EUR
Availability: OutOfStock

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Canale N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Foro passante TO-220AB

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IRFB4110PBF
Codice DigiKey	448-IRFB4110PBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFB4110PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFB4110PBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,5mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9620 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	370W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IRFB4110

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 2,62000	€ 2,62
50	€ 1,30880	€ 65,44
100	€ 1,18130	€ 118,13
500	€ 0,95776	€ 478,88
1 000	€ 0,88594	€ 885,94
2 000	€ 0,84100	€ 1 682,00

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.